a-Si∶H/Al/a-Si∶H三层复合膜的低温晶化研究

• 作者: 张溪文 杜丕一 沈鸽 王瑞春 翁文剑 赵高凌 韩高荣
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 复合薄膜 Al诱导 a-Si∶H 低温晶化
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 234-238
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.8|O484
• 字数: 1524字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.03.019

摘要

采用真空热蒸发与PECVD方法,在特殊设计的"单反应室双沉积法"薄膜沉积设备中沉积a-Si∶H/Al/a-Si∶H三层复合薄膜,并利用XRD,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究.结果表明,随着热处理过程的进行,金属Al逐步向表面扩散,在金属Al锈导下a-Si∶H层出现晶化的温度不高于250 ℃.在Al层厚度低于22 nm时,a-Si∶H向晶态硅转变的量随着Al层厚度的增加而增加,而当Al层厚度大于22nm后,a-Si∶H向晶态硅转变的量与Al层厚度无关.