射频溅射ZnO薄膜的晶体结构和电学性质

• 作者: 李德杰 黄静华
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 射频溅射 场发射阴极
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 186-188,192
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.03.006

摘要

氧化锌(ZnO)具有较宽的带隙(3.1 eV)和较低的亲合势(3.0 eV),有可能用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料.本文主要研究了用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜时,衬底温度和溅射气氛对薄膜结晶状况和电学性质的影响.随着衬底温度的升高,薄膜结晶质量得以改善,晶粒择优取向(002)晶向,晶粒大小为50～60 nm.溅射时通入一定比例的氧气有助于提高薄膜的绝缘性和耐压性.当衬底温度为180 ℃,溅射气氛为Ar+O2(25%)时,ZnO击穿场强为0.35 V/10 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李德杰	清华大学电子工程系	34	152	8.0	10.0
2	黄静华	清华大学电子工程系	2	9	1.0	2.0