Si基n型GaN的欧姆接触研究

• 作者: 何乐年 叶志镇 李嘉炜 陈忠景
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si基GaN 欧姆接触 界面固相反应 二次退火
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 40-42
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.55
• 字数: 1830字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.01.010

摘要

GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然.本文对Si基n型GaN上的Al单层及Ti/Al双层电极进行了研究.通过对不同退火条件下的I-U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	何乐年	浙江大学硅材料国家重点实验室	88	869	16.0	26.0
3	李嘉炜	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	6	2.0	2.0
4	陈忠景	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	8	1.0	2.0