亚100nm多栅MOSFET的三维模拟

• 作者: 刘恩峰 刘晓彦 夏志良 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双栅MOSFET 阈值电压 FINFET 三维模拟 短沟效应
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 140-143
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 2003字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.z1.032

摘要

使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘恩峰	北京大学微电子所	5	30	2.0	5.0
2	刘晓彦	北京大学微电子所	41	268	9.0	15.0
3	韩汝琦	北京大学微电子所	38	261	10.0	14.0
4	夏志良	北京大学微电子所	4	7	2.0	2.0