对抛光片清洗技术的研究

• 作者: 何良恩 凤坤 唐雪林 李刚
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: RCA工艺 抛光硅片 清洗技术
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.97
• 字数: 1838字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.07.005

摘要

研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺,并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出,改进工艺对金属沾污和表面颗粒的有效去除能力,使0.18um以上的颗粒能够控制在15颗以内,金属沾污能够有效降至109原子cm-2以下(Al略高小于1010cm-2).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	凤坤		2	18	2.0	2.0
2	李刚		2	18	2.0	2.0
3	何良恩		1	12	1.0	1.0
4	唐雪林		1	12	1.0	1.0