体硅工艺微振动传感器的研制

• 作者: 刘晓为 张宏华 曲凤秋 王喜莲 陈伟平 陈强 霍明学
• 来源期刊: 哈尔滨工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 体硅工艺 微振动传感器 多级折梁 ICP
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 页码范围: 1092-1094
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 2055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0367-6234.2004.08.029

摘要

体硅工艺微振动传感器与表面工艺微振动传感器相比,具有灵敏度高、噪声低等优点.本文研制的体硅工艺微振动传感器,其敏感单元为叉指电极结构,弹性梁采用新颖的多级折梁结构.利用硅深槽刻蚀技术(ICP)制作微振动传感器,ICP的最大刻蚀深度可达400 μm,最小线条宽度小于1 μm.传感器的灵敏度可达56.8 fF/g,测量范围-5 g～5 g,抗过载能力高于1000 g,共振频率为2.5 kHz.