铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究

• 作者: 叶志镇 吕建国 张正海 朱丽萍 诸葛飞 赵炳辉
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 p型导电 Al+N共掺 直流反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 408-410
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2373字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.06.003

摘要

本文通过直流反应磁控溅射,采用Al+N共掺的方法在N2O-O2气氛下制备p型ZnO薄膜.结果表明,衬底温度为500 ℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高,并且比单独掺氮时高近3个数量级.本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响,当衬底温度为500 ℃时,在纯N2O气氛下制备的p型ZnO的空穴浓度最高,为7.56×1017 cm-3,同时薄膜的电阻率和载流子的迁移率分别为94.3 Ω*cm和0.09 cm2V-1s-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	吕建国	浙江大学硅材料国家重点实验室	35	769	12.0	27.0
5	诸葛飞	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	50	4.0	4.0
6	张正海	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	11	1.0	1.0