钴镍与多晶锗硅的固相反应和肖特基接触特性

• 作者: 屈新萍 李炳宗 王光伟 茹国平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束溅射 多晶锗硅 热扩散 固相反应 肖特基接触特性
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.11.012

摘要

采用离子束溅射淀积非晶锗硅薄膜,通过热扩散进行磷掺杂,制备弱n型的多晶锗硅薄膜.用X射线衍射表征了在快速热退火条件下,钴和镍与多晶锗硅的固相反应.利用室温I-V法研究了钴镍与多晶锗硅的接触特性,发现能形成比较理想的肖特基接触.拟合I-V曲线得到接触参数,两样品的表观势垒高度都在0.56～0.59ev之间.实验结果表明,300～600℃退火对肖特基势垒高度没有显著影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光伟	复旦大学微电子学系	4	26	2.0	4.0
2	茹国平	复旦大学微电子学系	21	95	5.0	9.0
3	屈新萍	复旦大学微电子学系	19	84	5.0	8.0
4	李炳宗	复旦大学微电子学系	21	90	5.0	9.0