固相反应和离子注入制备硅化镍薄膜

• 作者: 张兴旺
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 固相反应 离子束合成 硅化镍薄膜 电学性质
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 131-135
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.032

摘要

采用固相反应和镍离子注入硅方法分别制备了硅化镍薄膜,利用卢瑟福背散射谱(RBS),X射线衍射(XRD)和喇曼光谱对它们的成分和结构进行了表征.结果表明固相反应方法中,硅化镍薄膜的相结构取决于不同的热退火条件,纯相的NiSi2薄膜需要在高温(1123K)下两步热退火才能获得.而利用离子注入方法,则可以在较低温度(523K)下直接得到单相的NiSi2薄膜.在30～400 K范围内测量了它们的电阻率和霍尔迁移率随温度的变化关系,结果表明固相反应制备的NiSi和NiSi2薄膜都表现出典型的金属性电导行为,而离子注入制备的NiSi2薄膜则表现出完全不同的电学性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴旺	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	30	153	8.0	10.0