立式高真空MOCVD装置CaN外延生长与器件制备

• 作者: 叶志镇 朱丽萍 王贤锋 赵浙 赵炳辉
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD GaN 外延生长 多量子阱 发光二极管
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 448-450
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2035字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.06.014

摘要

自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置,能够较好的调节反应气体的流动状态,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层.利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的GaN晶体薄膜.在蓝宝石衬底上生长出n、p型GaN以及多量子阱多层结构材料,并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管,性能良好,具有实用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	赵浙	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	17	2.0	3.0
5	王贤锋	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0