室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质

• 作者: 王占国 王春华 陈涌海
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 磁性颗粒 半导体
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1253-1257
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.011

摘要

通过室温和350℃注Mn后热退火,在GaAs/AlGaAs超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒.利用原子力显微镜、能量散射X射线谱、X射线衍射和交变梯度磁强计研究了该颗粒膜材料的结构和磁学性质.通过比较这些颗粒的饱和磁化强度、剩余磁化强度、矫顽力和剩磁比,发现350℃注Mn的样品含有MnGa和MnAs两种磁性颗粒,而室温注Mn的样品主要含有MnAs颗粒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0
2	陈涌海	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	16	40	4.0	5.0
3	王春华	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	2	25	1.0	2.0