金属沾污对超薄栅氧(2.5nm)特性的影响

• 作者: Karine Kenis Marc Heyns Patrick Van Doorne Paul Mertens Sophia Arnauts Twan Bearda 王刘坤 陈寿面
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅氧完整性 金属沾污 本征电荷击穿 斜坡电流应力 MOS电容器
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 502-507
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.005

摘要

采用可控的金属沾污程序,最大金属表面浓度控制在1012cm-2数量级,来模拟清洗工艺最大可能金属沾污表面浓度.利用斜坡电流应力和栅注入方式测量本征电荷击穿来评估超薄栅氧特性和金属沾污效应.研究了金属锆和钽沾污对超薄栅氧完整性的影响.实验结果表明金属锆沾污对超薄栅氧完整性具有最严重危害;金属钽沾污的栅氧发生早期击穿现象,而金属铝沾污对超薄栅氧完整性没有明显影响.