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TaN薄膜原子层淀积
TaN薄膜原子层淀积
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Ta N薄膜
铜阻挡层
原子层淀积
汽压
热稳定性
摘要:
我们成功合成了TaN薄膜原子层淀积的高纯有机钽先驱物并使其特性化,同时对这些先驱物的汽压和热稳定性进行了研究.根据汽压分析发现,TBTEMT比所有其它已发表的液体TaN先驱物(包括TBTDET、TAITMATA和IPTDET)具有更高的汽压.用1H NMR技术研究了这些烷基先驱物的热稳定性.结果表明,与乙二烯基先驱物相比,对于TBTDET和TBTEMT材料,特丁基群是最稳定的基群.TaN先驱物热稳定性按以下次序下降:TBTDET>PDMAT>TBTEMT.最后,通过对金属中央周围的配合基体进行轻微的调整使先驱物汽压和热稳定性处于良好的状态.
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文献信息
篇名
TaN薄膜原子层淀积
来源期刊
电子工业专用设备
学科
工学
关键词
Ta N薄膜
铜阻挡层
原子层淀积
汽压
热稳定性
年,卷(期)
2004,(4)
所属期刊栏目
成膜技术
研究方向
页码范围
18-22
页数
5页
分类号
TN304.055
字数
214字
语种
中文
DOI
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引文网络
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2007(1)
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Ta N薄膜
铜阻挡层
原子层淀积
汽压
热稳定性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
主办单位:
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1004-4507
CN:
62-1077/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
邮发代号:
创刊时间:
1971
语种:
chi
出版文献量(篇)
3731
总下载数(次)
31
总被引数(次)
10002
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