总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响

• 作者: 巴德纯 汪保卫 沈辉 王贺权 闻立时
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 化学
• 关键词: 二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 总气压 反射率
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: O614.41+1
• 字数: 3096字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.01.017

摘要

用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定电源功率、氩气流量42.6 sccm、氧流量15 sccm、溅射时间30 min的条件下,通过控制总气压改变TiO2薄膜的光学性质.应用n& k Analyzer 1200测量,当总气压增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷向短波方向移动,总气压对消光系数k影响不大;随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当总气压达到一定量值时折射率的变化趋于稳定.通过XRD和SEM表征发现,随着总气压的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巴德纯		250	1491	18.0	22.0
2	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
3	沈辉		121	1808	24.0	37.0
4	王贺权		7	99	6.0	7.0
8	汪保卫	中国科学院广州能源研究所	7	110	7.0	7.0