导带的非抛物线性对应变InxGa1-xAs/AlAs量子阱红外谱的影响

• 作者: 张文栋 杨晓峰 温廷敦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 8×8k·p模型 非抛物线性 红外吸收
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1949-1953
• 页数: 5页
• 分类号: O47
• 字数: 2841字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.016

摘要

研究了导带非抛物线性对应变In0.84Ga0.16As/AlAs/In0.52Ga0.48As量子阱红外谱的影响.用8×8k·p理论分析了导带价带混合引起导带的非抛物线性、费米能级变化和带内跃迁吸收峰位置的改变.数值分析给出与红外吸收实验相一致的结果,表明导带的非抛物线性对重掺杂量子阱红外谱有显著的影响,从实验红外谱可以推知导带色散的非抛物线性特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文栋	中北大学电子科学与技术系	167	1172	16.0	26.0
2	杨晓峰	中北大学物理系	69	288	9.0	13.0
3	温廷敦	中北大学物理系	65	169	7.0	10.0