宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管

• 作者: 余萍 劳燕锋 吴惠桢 徐天宁 梁军 邱东江
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方相和六方相ZnMgO 薄膜场效应晶体管 电学特性
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 218-222
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 4535字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.056

摘要

首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等,研制了透明的ZnO基TFT,TFT的电流开关比达到104,场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为10-8A.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴惠桢	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	37	219	9.0	12.0
3	徐天宁	浙江大学物理系	18	56	5.0	5.0
4	邱东江	浙江大学物理系	22	144	8.0	11.0
5	劳燕锋	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	24	69	5.0	7.0
6	余萍	浙江大学物理系	5	23	3.0	4.0
7	梁军	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	48	593	14.0	22.0