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宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管
宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管
作者:
余萍
劳燕锋
吴惠桢
徐天宁
梁军
邱东江
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
立方相和六方相ZnMgO
薄膜场效应晶体管
电学特性
摘要:
首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等,研制了透明的ZnO基TFT,TFT的电流开关比达到104,场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为10-8A.
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文献信息
篇名
宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
立方相和六方相ZnMgO
薄膜场效应晶体管
电学特性
年,卷(期)
2006,(z1)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
218-222
页数
5页
分类号
TN304.2+1
字数
4535字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.056
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
吴惠桢
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
37
219
9.0
12.0
3
徐天宁
浙江大学物理系
18
56
5.0
5.0
4
邱东江
浙江大学物理系
22
144
8.0
11.0
5
劳燕锋
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
24
69
5.0
7.0
6
余萍
浙江大学物理系
5
23
3.0
4.0
7
梁军
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
48
593
14.0
22.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(17)
共引文献
(5)
参考文献
(9)
节点文献
引证文献
(1)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(5)
1998(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2000(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(4)
参考文献(4)
二级参考文献(0)
2004(3)
参考文献(3)
二级参考文献(0)
2006(5)
参考文献(0)
二级参考文献(5)
2007(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2008(4)
参考文献(0)
二级参考文献(4)
2009(3)
参考文献(0)
二级参考文献(3)
2011(3)
参考文献(0)
二级参考文献(3)
2014(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2006(5)
参考文献(0)
二级参考文献(5)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2009(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2013(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
2014(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
2015(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
立方相和六方相ZnMgO
薄膜场效应晶体管
电学特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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