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摘要:
概述了193 nm浸液式光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司在SPIE微光刻研讨会上宣布的最新研究成果,探讨了193 nm浸液式光刻技术的发展趋势.
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内容分析
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文献信息
篇名 193 nm浸液式光刻技术现状
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 浸液式光刻 曝光设备 折射率 偏振技术 双重曝光
年,卷(期) 2006,(7) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 1-6
页数 6页 分类号 TN3
字数 6187字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2006.07.001
五维指标
传播情况
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引文网络
引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
浸液式光刻
曝光设备
折射率
偏振技术
双重曝光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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