多弧离子镀沉积过程中等离子体参数对薄膜沉积的影响

• 作者: 李国卿 苟伟 车德良 钟彬 陈玲玲
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 多弧离子镀 收集电流 偏压 弧电流 Cr-N薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2006.02.002

摘要

采用平面探针测试了衬底附近的电流密度,弧电流和衬底偏压的增加均有助于增加到达衬底附近的离子的数量.弧电流增加引起衬底的温升,衬底偏压对衬底温度影响较小.采用多弧离子镀技术沉积Cr-N薄膜,衬底偏压对薄膜的硬度影响较小;弧电流增大,薄膜的硬度随之降低.XRD分析表明,弧电流较高时,不利于Cr-N相的形成,薄膜中以Cr的宏观液滴为主,薄膜硬度较低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国卿	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	58	411	12.0	16.0
2	陈玲玲	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	4	31	4.0	4.0
3	苟伟	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	9	101	6.0	9.0
4	车德良	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	4	25	3.0	4.0
5	钟彬	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	4	73	4.0	4.0