磁控溅射制备PST薄膜的介电与铁电性能

• 作者: 孙平 王茂祥
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: (P1-xSrx)TiO3薄膜 磁控溅射 介电性能 铁电性能
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 522-525
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3090字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.06.019

摘要

(Pb1-xSrx)TiO3系铁电材料是一种互溶性较好的钙钛矿材料,本文采用磁控溅射法,在Si基底上成功地制备了结构致密、性能优良的PST铁电薄膜,其制备工艺可与Si微电子技术兼容.性能测试表明,其介电常数可达900,接近103量级,介电损耗较低, 约在0.12～0.21之间(-10 ℃至60 ℃).铁电性能也较好,其饱和极化强度可接近10 Μc/cm2,矫顽场强约21 Kv/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王茂祥	南京大学工程管理学院	12	26	3.0	5.0