a-C:F薄膜结构与电学性能研究

• 作者: 吴振宇 杨银堂 汪家友
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: a-C:F 电学性能 ECR-CVD 化学组分
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 36-39,65
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3185字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.01.010

摘要

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R(R=[CH4]/([CH4]+[C4F8]))条件下沉积氟化非晶碳(a-C:F)薄膜.用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌.用柯西(Cauchy)模型和Levenberg-Marquardt非线性迭代算法分析了薄膜的椭圆光谱.用X光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)技术分析了薄膜的化学成分.随着气体流量比R的增大a-C:F薄膜C-C键结构增多,薄膜C/F比增大.a-C:F薄膜的介电常数取决于电子极化并随R的增大而上升.a-C:F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机制.随着C-C含量的增大,π价带态和π*导带态之间的带隙减小,电荷陷阱深度减小,陷阱中的电子在场增强热激发作用下更容易进入导带,导致薄膜漏电流增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴振宇	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	170	9.0	12.0
2	汪家友	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	31	267	11.0	15.0
3	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0