1V以下基于Vgs权重的CMOS恒压源

• 作者: 张洵 王鹏 靳东明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 恒压源 温度系数 电源电压抑制比
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 774-777
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 754字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.003

摘要

提出了一种新型CMOS恒压源的制作方案,它基于nMOS和pMOS的饱和区栅源电压随温度变化权重不同的原理,将两者做相关运算,得到零温度系数的恒压源.该电压源没有采用二极管和寄生三极管,并用SMIC 0.18μm数模混合工艺模型参数仿真并制造.测试结果表明,温度系数达到了44ppm/℃,PSRR为-46dB,650mV以上的电源电压就可以完全正常工作.芯片面积约为0.05mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鹏	清华大学微电子学研究所	156	2740	26.0	49.0
2	张洵	清华大学微电子学研究所	10	98	6.0	9.0
3	靳东明	清华大学微电子学研究所	25	183	7.0	12.0