SiCGe/3C-SiC异质结光控达林顿晶体管的设计与仿真

• 作者: 任萍 蒲红斌 陈治明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiCGe SiC 异质结 达林顿晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 254-257
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.011

摘要

针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比,SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能,可使其最大共射极电流增益达到890,获得最好的光触发特性和较好的Ⅰ-Ⅴ特性,饱和压降大约为4V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	任萍	西安理工大学电子工程系	2	3	1.0	1.0
3	蒲红斌	西安理工大学电子工程系	33	119	7.0	9.0