PSJ高压器件的优化设计

• 作者: 张波 李肇基 邓小川 陈万军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: partial super junction RESURF 击穿电压 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1089-1093
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2832字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.028

摘要

基于Semi-SJ(super junction)结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ(partial super junction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件模拟结果和实验结果相比较.讨论了BAL(bottom assist layer)部分穿通因素η、p型区深度归一化参数r、p型区深宽比A以及PSJ漂移区掺杂浓度是否统一对PSJ高压器件比导通电阻的影响.其理论结果和器件模拟结果相吻合,为设计与优化PSJ高压器件提供了理论依据.PSJ结构特别适于制造工艺水平不高、很难实现大的p型区深宽比的情况,为现有工艺实现高压低导通电阻器件提供了一种新的思路.