无压力辅助硅/玻璃激光局部键合

• 作者: 史铁林 廖广兰 汤自荣 聂磊 马子文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 激光键合 表面活化 键合线宽
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 217-221
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3086字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.015

摘要

提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响.实验表明,激光功率越大,扫描速度越小,键合线的宽度就越大.实验结果显示,该方法能有效减少键合片的残余应力,控制键合线宽,并能得到较好的键合强度.该工艺可为MEMS器件的封装与制造提供简洁、快速、键合区可选择的新型键合方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史铁林	华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室	192	2245	25.0	38.0
2	马子文	华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室	4	26	3.0	4.0
3	汤自荣	华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室	7	31	3.0	5.0
4	廖广兰	华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室	64	654	12.0	24.0
5	聂磊	华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室	17	149	8.0	11.0