液晶阵列工艺中金属钼的干法刻蚀研究

• 作者: 姜斌 王章涛 荀本鹏 邱海军
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钼 薄膜晶体管 反应离子刻蚀
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 54-57
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7|TN141.9
• 字数: 3004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.01.012

摘要

为了简化液晶面板制造工序,本文初步研究了在1.1 m×1.3 m的玻璃基板上,采用Cl2/O2气体对薄膜晶体管中沟道处的金属钼进行反应离子刻蚀.经过一组正交实验,分析了功率、气压、气体比例等参数对刻蚀速率、均匀度和选择比的影响关系,并给出了刻蚀后的扫描电镜(SEM)图和不同功率参数下薄膜电学特性曲线图.结果表明,本试验中气压是影响幅度最大的因素;另外,较高的功率会使钼对下层选择比严重变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜斌	电子科技大学微电子与固体电子学院	21	169	6.0	12.0
2	荀本鹏	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	5	2.0	2.0
3	邱海军		2	5	2.0	2.0
4	王章涛		5	25	3.0	5.0