直流反应磁控溅射法制备CdIn2O4薄膜的光电性能研究

• 作者: 吴苏友 孙建生 张淑芳 徐勤涛 方亮 杨丰帆 董建新
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直流反应磁控溅射法 CdIn2O4薄膜 光电性能 最佳条件
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 460-466
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4
• 字数: 4826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.06.002

摘要

利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响.结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加.退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移".点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果.综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件.此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4 Ω·cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨丰帆		6	25	3.0	4.0
3	方亮	重庆大学应用物理系	62	513	12.0	18.0
7	孙建生		7	71	5.0	7.0
8	张淑芳	重庆大学应用物理系	8	31	4.0	5.0
9	徐勤涛		12	102	7.0	10.0
10	吴苏友		2	7	2.0	2.0