退火工艺对La-Nb共掺杂Bi4Ti3O12薄膜结构的影响

• 作者: 任明放 张云峰 王华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 铁电薄膜 BLTN 微观结构 退火温度 升温速率 退火时间
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TM282
• 字数: 3011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.06.019

摘要

采用sol-gel法制备了Si基Bi3.25La0.75Ti2.94Nb0.06O12.03(BLTN)铁电薄膜,研究了退火温度、升温速率和退火时间对BLTN薄膜微观结构的影响.结果表明:制备的BLTN薄膜具有单一的钙钛矿结构,且为随机取向,表面平整致密;退火温度由550 ℃升高到750 ℃时,薄膜的衍射峰强度增强,晶粒尺寸由65 nm增大到110 nm;退火升温速率由10 ℃/min提高为20 ℃/min时,薄膜的晶化程度降低;退火时间对薄膜的晶相结构影响不大,但时间超过30 min会造成薄膜表面孔洞增多、致密性下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任明放	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	29	138	6.0	10.0
2	王华	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	98	463	13.0	17.0
3	张云峰	桂林电子科技大学信息与通信学院	3	4	2.0	2.0