衬底温度对ITO和ITO:Zr薄膜性能的影响

• 作者: 吴建生 张波 董显平
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 掺杂 磁控溅射 衬底温度
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 164-168
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2979字
• 语种: 中文

摘要

利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同衬底温度下ITO和ITO:Zr薄膜性能的变化.XRD和AFM分析表明,ITO:Zr比ITO薄膜具有更好的晶化程度和较低的表面粗糙度,Zr的掺入促进薄膜晶化的同时导致了(222)晶面向(400)晶面取向的转变.室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,方阻由260.12 Ω降为91.65Ω,光学透过率也有所上升.随着温度的上升,方阻可达到10 Ω,薄膜也表现出明显的"B-M"效应,通过直接跃迁的模型得出ITO:Zr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带.共溅法制备的ITO:Zr薄膜比传统的ITO薄膜展现了更好的综合性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试重点实验室	102	1363	18.0	35.0
2	吴建生	上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试重点实验室	141	1402	19.0	30.0
3	董显平	上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试重点实验室	20	67	5.0	7.0