红外光学用Ge双面抛光片抛光工艺条件研究

• 作者: 刘春香 杨洪星 赵权
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双面抛光 锗晶片 红外光学
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 394-396
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.008

摘要

分析了不同抛光条件下,Ge双面抛光片的表面状况,通过抛光压力、抛光液中氧化荆的比例、抛光机转速和转速比等条件的改变,阐述了这些因素对抛光速率、抛光片正反面质量的影响,得到了相应的关系图表.根据实验结果,确定了Ge双面抛光工艺条件,采用该工艺条件对Ge片进行双面抛光,抛光片的几何参数指标和表面质量均能满足红外光学应用对抛光片的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵权	中国电子科技集团公司第四十六研究所	30	136	6.0	9.0
2	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
3	刘春香	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	79	5.0	7.0