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摘要:
随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小,光刻技术和光刻设备发生着显著变化.通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议.
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文献信息
篇名 半导体光刻技术及设备的发展趋势
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 光刻 光刻机 分辨率 掩模 焦深 曝光
年,卷(期) 2008,(3) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 193-196
页数 4页 分类号 TN305.7
字数 4554字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.03.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姚达 中国电子科技集团公司第四十七研究所 2 59 2.0 2.0
2 岳世忠 北京大学软件与微电子学研究院 1 53 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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2020(5)
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研究主题发展历程
节点文献
光刻
光刻机
分辨率
掩模
焦深
曝光
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
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