新型的3D堆叠封装制备工艺及其实验测试

• 作者: 伊廷荣 成立 植万江 王玲 范汉华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超大规模集成电路 3D堆叠式封装 铜互连 贯穿硅通孔
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 409-413
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 3890字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.012

摘要

为了满足超大规模集成电路(VLSI)芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求,采用了一种基于贯穿硅通孔(TSV)技术的3D堆叠式封装模型.先用深反应离子刻蚀法(DRIE)形成通孔,然后利用离子化金属电浆(IMP)溅镀法填充通孔,最后用Cu/Sn混合凸点互连芯片和基板,从而形成了3D堆叠式封装的制备工艺样本.对该样本的接触电阻进行了实验测试,结果表明,100 μm2Cu/Sn混合凸点接触电阻约为6.7 mΩ高90 μm的斜通孔电阻在20～30mΩ该模型在高达10 GHz的频率下具有良好的机械和电气性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玲	江苏大学电气与信患工程学院	22	88	5.0	9.0
2	成立	江苏大学电气与信患工程学院	168	1567	21.0	32.0
3	植万江	江苏大学电气与信患工程学院	10	15	2.0	3.0
4	范汉华	江苏大学电气与信患工程学院	9	14	2.0	3.0
5	伊廷荣	江苏大学电气与信患工程学院	9	14	2.0	3.0