微波单片电路中通孔的建模

• 作者: 何大伟 王生国 胡志富 蔡树军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 通孔 模型 IC-CAP
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 272-274
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.03.024

摘要

分析了理论公式在计算截圆锥通孔电感中的局限性.设计了频率在20 GHz以下GaAs基微波单片电路中通孔的专门测试结构并建立了其对应的等效电路,用去嵌入寄生参数的方法和安捷伦公司标准的IC-CAP建模系统提取了通孔的模型参数.发现对截圆锥结构的通孔,用公式计算出来的通孔的电感值比实验的结果大36%.设计了一个14-18 GHz、增益大于17 dB、输出功率为1W的GaAs基微波单片电路,验证了模型的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡志富		4	3	1.0	1.0
2	王生国		1	3	1.0	1.0
3	何大伟		1	3	1.0	1.0
4	蔡树军		7	25	3.0	5.0