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摘要:
通过X射线衍射、紫外-可见分光光度计、扫描电镜和四探针仪分析等手段,考察了退火温度对ZnO:(Al, La)薄膜微观结构、光学和电学性能的影响,Al掺杂浓度对电阻率的影响.结果表明:随退火温度的升高,薄膜(002)晶面择优取向生长增强,平均晶粒尺寸增大,电阻率降低,透光率上升.在x(Al)为1%,退火温度550 ℃时,薄膜最低电阻率为1.78×10-3 Ω·cm,平均透光率超过85%.
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文献信息
篇名 sol-gel法制备的ZnO:(Al, La)透明导电膜光电性能
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 无机非金属材料 ZnO:(Al,La)薄膜 sol-gel法 光电性能
年,卷(期) 2008,(7) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 47-49
页数 3页 分类号 TQ132.41
字数 2597字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.07.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 战可涛 北京化工大学理学院 18 139 6.0 11.0
2 曾凡强 北京化工大学理学院 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
无机非金属材料
ZnO:(Al,La)薄膜
sol-gel法
光电性能
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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16
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31758
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