衬底温度对射频磁控溅射制备HfO2薄膜结构的影响

• 作者: 俞必强 吕反修 吴平 张师平 赵云清 邱宏 闫丹
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 HfO2薄膜 衬底温度 微观结构
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 911-914
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2538字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.011

摘要

采用射频磁控溅射法在氧氩比为0.2的混合气氛中,分别在室温、100℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃温度下,在P-Si(100)衬底上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD和AFM研究了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜沉积速率呈减小趋势.室温沉积的HfO2薄膜为非晶态,当衬底温度高于100℃,薄膜出现单斜晶相,随着衬底温度继续增加,(111)择优取向更加明显,晶粒尺寸增大,薄膜表面粗糙度减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕反修	北京科技大学材料与工程学院	151	1208	18.0	24.0
2	吴平	北京科技大学应用学院物理系	93	481	11.0	17.0
3	邱宏	北京科技大学应用学院物理系	37	225	9.0	13.0
4	闫丹	北京科技大学应用学院物理系	7	22	3.0	4.0
5	张师平	北京科技大学应用学院物理系	30	128	6.0	10.0
6	俞必强	北京科技大学机械学院	18	84	6.0	8.0
7	赵云清	北京科技大学应用学院物理系	2	9	2.0	2.0