CMOS工艺聚酰亚胺电容型湿度传感器的研究

• 作者: 崔千红 杨子健 杨建红 韦波
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 湿度传感器 电容型 聚酰亚胺 CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 字数: 3035字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.12.006

摘要

以正胶光刻和干湿刻蚀方法,结合CMOS工艺制备了聚酰亚胺电容型湿度传感器.研究了硅基、钼-铝栅条状电极湿度传感器的结构及亚胺化温度对其性能的影响.结果表明:相对湿度(RH)为20%～80%发生准静态变化时,该传感器的湿度-电容曲线具有较好的线性度;外界相对湿度在12%和92%间发生阶跃变化时,响应时间约为40 s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨子健	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	5	23	3.0	4.0
2	韦波	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	3	11	2.0	3.0
3	崔千红	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	3	11	2.0	3.0
4	杨建红	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	44	143	6.0	9.0