SiGe合金单晶生长研究

• 作者: 何秀坤 刘锋 李丹 毛陆虹 王义猛 韩焕鹏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅单晶 锗的质量分数 单晶生长 直拉法 位错密度
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(晶圆生长及晶片制备技术)
• 页码范围: 328-332
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 3370字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.04.008

摘要

通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度.采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、φ为50～60mm的SiGe单晶.可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	何秀坤	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	9	2.0	3.0
3	韩焕鹏	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	43	4.0	5.0
4	刘锋	中国电子科技集团公司第四十六研究所	15	20	3.0	3.0
5	李丹	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	44	3.0	5.0
6	王义猛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0