Ge单晶片的激光标识技术研究

• 作者: 刘晓伟 杨洪星
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗 单晶 激光加工 激光标识 打标深度 红外光学性能
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 676-678
• 页数: 3页
• 分类号: TN249
• 字数: 1680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.07.15

摘要

Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐射性能,在航天领域有着广泛的应用.产品的可追溯性一直是困扰Ge单晶抛光片的技术难题.介绍了激光打标机的工作原理,并采用波长为1 064 nm的光纤型激光打标机在Ge单晶片上制作标识码.研究了激光功率对打标深度的影响,确定了合适的激光打标功率为激光器总功率的20%～50%,同时,对激光标识码的位置进行了分析,确定了合适的激光打标位置,最终成功地在Ge单晶片表面制作了激光标识码,解决了Ge单晶片的可追溯性问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
2	刘晓伟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	16	2.0	3.0