高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的等效氧化层厚度控制技术

• 作者: 王文武 王晓磊 蔡雪梅 陈世杰 陈大鹏 韩锴
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 高k栅介质 等效氧化层厚度(EOT) 金属栅 氧吸除
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 材料应用与工艺
• 页码范围: 11-16
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 3257字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.03.005

摘要

随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄,由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重.传统的SiO2栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要,而利用高介电常数栅介质(高k)取代SiO2已成为必然趋势.综述了国内外对纳米尺度CMOS器件高k栅介质的等效氧化层厚度(EOT)控制技术的一些最新研究成果,并结合作者自身的工作介绍了EOT缩小的动因、方法和展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈大鹏	中国科学院微电子研究所	79	466	10.0	17.0
2	蔡雪梅	中国科学院微电子研究所	4	22	4.0	4.0
3	陈世杰	中国科学院微电子研究所	6	77	4.0	6.0
4	王文武	中国科学院微电子研究所	6	4	1.0	2.0
5	王晓磊	中国科学院微电子研究所	9	54	4.0	7.0
6	韩锴	中国科学院微电子研究所	1	4	1.0	1.0