In掺杂和退火对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构和光电性质的影响

• 作者: 吴芳 周科 彭丽萍 方亮 杨小飞 阮海波 黄秋柳
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 透明导电薄膜 磁控溅射 In掺杂ZnO薄膜 光电性能
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 680-684
• 分类号: O484.4
• 字数: 3644字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.06.21

摘要

用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备出ZnO和In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜,研究了In的掺杂和退火对薄膜的结构和光电性质的影响.所制备的薄膜为纤锌矿结构的ZnO相,In的掺杂有利于ZnO薄膜的c轴择优生长,并且使其表面更加致密平整,退火提高了薄膜的结晶行为,但使得薄膜的表面有部分团聚形成.由于In3+替代了Zn2+,提供了一个多余的电子, ZnO薄膜的电阻率从28.9 Ω·cm降低到4.3×10-3 Ω·cm.由于载流子浓度的增加和晶格尺寸的拉长,In的掺杂使得ZnO薄膜的禁带宽度增加;空气中退火后薄膜的载流子浓度降低和晶格尺寸的减小,使得禁带宽度降低.ZnO薄膜在可见光范围的透光率在90%以上,受In的掺杂和退火的影响不大.室温下用325 nm的激发光源测试了样品的光致发光(PL)谱,发现In的掺杂对薄膜的PL谱影响不大,而退火后的ZnO薄膜在446 nm处的蓝光发射明显增强,更适合于作为蓝色发光器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周科	重庆大学应用物理系	9	75	6.0	8.0
2	方亮	重庆大学应用物理系	62	513	12.0	18.0
4	吴芳	重庆大学应用物理系	64	862	17.0	26.0
5	彭丽萍	重庆大学应用物理系	9	57	5.0	7.0
8	杨小飞	重庆大学应用物理系	5	32	3.0	5.0
9	黄秋柳	重庆大学应用物理系	7	36	4.0	6.0
10	阮海波	重庆大学应用物理系	6	15	3.0	3.0