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摘要:
本文对MEMS硅压阻式压力传感器进行了相应理论的分析,并对其优缺点进行了论述.通过对微压力传感器芯片的探索,提出了一种新型结构:四岛平膜结构.运用仿真软件对四岛平膜型微压力传感器芯片进行了静力学分析.通过分析应力和形变平面云图及沿特定的路径分布图,发现该结构在边缘四边中点位置处出现应力的极大值,同时在芯片的四个凸起中间部位应力出现了明显的应力集中效应.将电阻放置在应力集中的区域,使其构成一个惠斯通全桥,可获得最大的电压输出.形变极大值远远小于传感器有效膜片的厚度,本文设计的传感器芯片的线性度良好.
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文献信息
篇名 微机电系统( MEMS)硅压阻式压力传感器分析研究
来源期刊 真空 学科 工学
关键词 MEMS传感器 理论分析 芯片设计 仿真模拟
年,卷(期) 2011,(6) 所属期刊栏目 测量与控制
研究方向 页码范围 72-75
页数 分类号 TP212.1
字数 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 石鑫 镇江高等职业技术学校机电工程系 7 23 3.0 4.0
2 李烨 镇江高等职业技术学校机电工程系 4 10 2.0 3.0
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MEMS传感器
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研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
真空
双月刊
1002-0322
21-1174/TB
大16开
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
8-30
1964
chi
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2692
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3
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12898
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