金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究

• 作者: 丛秀云 张希涛 范艳伟 陈朝阳
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: NTC热敏电阻 单晶硅 金 铂 深能级杂质
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 29-32
• 分类号: TN304
• 字数: 3186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.06.009

摘要

采用开管涂源法,对p25为7Ω·cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR.研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析.结果表明:扩散温度θ=1200℃、扩散时间t≥2h时,导电类型反型为P型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000K左右,P25恒定在(2～3)×103Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝阳	中国科学院新疆理化技术研究所	60	622	12.0	22.0
2	范艳伟	中国科学院新疆理化技术研究所	9	57	4.0	7.0
3	丛秀云	中国科学院新疆理化技术研究所	12	74	5.0	7.0
4	张希涛	中国科学院新疆理化技术研究所	1	5	1.0	1.0