衬底对 PECVD 法生长氢化纳米硅薄膜的影响

• 作者: 丁建宁 何宇亮 王权 胡然
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅薄膜 Raman 光谱 表面粗糙度 晶态比
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 267-271
• 分类号: TN304
• 字数: 3526字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.03.04

摘要

用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法,在玻璃和单晶si衬底上分别制备了氢化纳米硅薄膜,对在相同工艺条件下的薄膜进行了对比研究,即用Baman散射谱研究了薄膜的晶粒平均大小和晶态比;用台阶仪测试了薄膜厚度;用x射线衍射谱和原子力显微镜对薄膜微结构和形貌进行了对比研究,发现所制备薄膜的微观结构有很大的差异.相同工艺条件下,在玻璃衬底上生长的薄膜,表面粗糙度小于单晶si衬底上的薄膜,而晶化程度低于单晶Si衬底.掺杂使微结构发生了变化,掺P促进晶化,掺B促进非晶化,对此实验结果给出了定性的分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宇亮	南京大学物理系	11	78	5.0	8.0
2	丁建宁	江苏大学机械工程学院	146	769	14.0	19.0
3	王权	江苏大学机械工程学院	31	183	8.0	11.0
7	胡然	江苏大学机械工程学院	1	4	1.0	1.0