化学机械抛光（CMP）过程中抛光盘温度控制的分析研究

• 作者: 刘涛 孙振杰 费玖海
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光盘 温度控制 抛光实验
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: CMP工艺与设备
• 页码范围: 5-8
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2011.08.002

摘要

在化学机械抛光（CMP）过程中,温度是影响晶片最终抛光效果的主要因素之一,采用合理的温度控制方法,把温度控制在一定的范围内才能满足化学机械抛光的工艺要求。通过化学机械抛光机理分析阐述了抛光过程中热量产生的根源,介绍了一种温度控制系统的设计原理,并通过抛光实验验证并说明了温度控制的必要性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙振杰	中国电子科技集团公司第四十五研究所	5	28	2.0	5.0
2	刘涛	中国电子科技集团公司第四十五研究所	33	79	4.0	8.0
3	费玖海	中国电子科技集团公司第四十五研究所	6	12	3.0	3.0