300mm硅片精密化学机械抛光村几何参数优化

• 作者: 党宇星 刘斌 叶松芳 周旗钢 张果虎 徐继平 柳滨 王东辉 石瑛 肖清华 郭强生 闫志瑞
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 最终化学机械抛光 硅片 极大规模集成电路 硅片几何参数 硅材料
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: CMP技术与设备
• 页码范围: 27-33
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文

摘要

对于评价用于极大规模集成电路（ULSI）生产的300mm硅抛光片的表面质量，需要关注两个关键参数即：SRQR和GBIR。在中国电子科技集团第四十五研究所研发的中国第一台最终化学精密抛光机的验证过程中，我们发现为了提高硅片表面的几何参数,必须监控抛光前硅片的形貌，并根据不同的硅片表面形貌来改变抛光头的区域压力。通过深入分析抛光前硅片的表面形貌，我们发现当硅片形貌为凹陷形状时。抛光后的硅片表面将严重恶化。由此，根据每个硅片不同的形貌，我们用特殊设计的抛光头来调整背压的区域分布，然后再进行抛光。最终,经过抛光头区域压力调整后的硅片几何参数比调整前得到了大幅提升，并已经能够满足我们的产品指标并可以用于生产。