Ti/n型6H-SiC(0001)接触界面的研究

• 作者: 刘衍芳 潘海斌
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ti 6H-SiC 界面 肖特基势垒 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 表面科学
• 页码范围: 169-171
• 分类号: O472+11|O48411
• 字数: 2221字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.02.17

摘要

用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)的方法研究了Ti/n型6H-SC(0001)的接触界面.Ti/n型6H-SiC(0001)样品采用磁控溅射的方法获得,然后将表面的Ti用氩离子刻蚀的方法慢慢刻蚀掉,Ti2p3/2用XPS测得,结合能从刻蚀时间为245min的457.86 eV逐渐移动到刻蚀时间为255 min时的457.57eV,移动约为0.3eV.Si2p用同步辐射光测得,结合能从刻蚀245 min时的101.12eV移动到干净的100.67 eV,峰形状未发生变化,表明Ti与衬底之间没有发生化学反应,SiC的价带发生弯曲,形成的势垒高度为0.89 eV.向SiC上蒸Si 2.5 min,退火30min,观察LEED花样,发现当发射电流为30mA,能量37eV时,SiC表面有√3*√3重构,发射电流为40mA时,有6√3*6√3的重构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘海斌	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	26	230	5.0	15.0
2	刘衍芳	合肥工业大学分析测试中心	4	20	2.0	4.0