LiNbO3/ZnO:Al集成结构的外延生长及电性能研究

• 作者: 吴智鹏 朱俊 邓杰 马陈鹏
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积 LiNbO3 ZnO∶Al 外延薄膜 集成结构 J-E P-E
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1|O484.4
• 字数: 2823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.05.003

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)法在蓝宝石衬底上先后外延生长了ZnO∶Al(ZAO)和LiNbO3(LN)薄膜.通过X射线衍射分析(XRD)可知二者之间的外延关系为:LN (001)//ZAO(001)、LN[110]//ZAO[110]、LN[100]//ZAO[120].制备了Au/LN/ZAO和ZAO/LN/ZAO两种电容器结构,对其进行了电流-电压(J-E)测试和铁电(P-E)分析,结果表明:LN/ZAO集成结构具有整流作用,ZAO/LN/ZAO结构表现出较好的绝缘性能,所制备的LN薄膜在室温下的剩余极化强度(Pr)约为1×10-6 C/cm2,温度的升高能够促进电畴的翻转,使Pr增加为3×10-6C/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	34	102	5.0	6.0
2	邓杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	6	1.0	2.0
3	吴智鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	4	1.0	1.0
4	马陈鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0