高温氩退火对提高Si片质量的研究

• 作者: 冯泉林 李宗峰 李青保 王磊 盛方毓 赵而敬
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高温氩退火 空洞型微缺陷 栅氧化层完整性 直拉单晶硅 晶体原生粒子缺陷
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 302-305
• 分类号: TN304.12
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.04.013

摘要

首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响.样品在1 200 c℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察.试验表明Si片经过1h退火后,表面的COP全部被消除；另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化；最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压.实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊		38	221	9.0	12.0
2	冯泉林		7	14	2.0	3.0
3	李宗峰		3	4	1.0	1.0
4	赵而敬		1	1	1.0	1.0
5	盛方毓		1	1	1.0	1.0
6	李青保		2	2	1.0	1.0