DC～20 GHz GaAs PHEMT超宽带低噪声放大器

• 作者: 张晓鹏 朱思成 田国平 白元亮 陈兴
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 低噪声放大器 分布式放大器 共源共栅 噪声系数
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 571-575
• 分类号: TN304.23|TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.08.003

摘要

采用0.15 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中.电路采用分布式放大器结构,单节采用共源共栅的结构形式实现,其与共源结构相比,拥有较低的栅-漏反馈电容和较高的输出并联电阻,使电路具有较宽的频带、较高的增益和较高的线性度等特点.电路采用+8V电源供电,将芯片及外围器件进行模块化封装后,易于测试和使用.经过实测,带内的典型噪声系数为3 dB,小信号增益达到14 dB,输入回波损耗低于-14 dB,输出回波损耗低于-17 dB,1 dB增益压缩输出功率达到16 dBm.芯片尺寸为3.12 mm×1.574 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田国平		7	11	2.0	3.0
2	朱思成	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	15	2.0	3.0
3	陈兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	26	3.0	5.0
4	白元亮	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	11	2.0	3.0
5	张晓鹏	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	20	2.0	3.0