GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究

• 作者: 王淼 顾占彪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 场效应晶体管(FET) 微波脉冲固态功率放大器 脉冲波形顶部降落 脉冲波形顶部过冲
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 474-478
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.06.015

摘要

基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究.从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降.另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点.经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王淼	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	42	3.0	6.0
2	顾占彪	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	5	2.0	2.0