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摘要:
采用热压工艺制备了PTFE/SiO2微波复合基板材料,研究了热压温度对PTFE/SiO2复合材料的性能及显微结构的影响.差示扫描量热法分析表明PTFE结晶度随热压成型温度上升而升高,熔限先变宽后变窄.同时通过扫描电镜观察发现,热压成型温度升高使复合材料表面出现气孔,材料内部气孔数目增多,从而导致材料密度、相对介电常数下降,吸水率A升高.由于PTFE树脂结晶度与材料显微结构共同作用,介电损耗先降低后增高,热导率Kc则先增高后降低.热压温度为370℃时,复合材料性能较好(εr=2.90,tanδ=0.001 1,A=0.58%,Kc=0.566W/(m·℃)).
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 热压成型温度对PTFE/SiO2复合材料性能的影响
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 复合材料 聚四氟乙烯 SiO2 热压成型温度 结晶度 微观结构
年,卷(期) 2013,(10) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 21-24
页数 4页 分类号 TB332
字数 3598字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.10.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 钟朝位 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 49 326 8.0 16.0
2 袁颖 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 38 248 9.0 14.0
3 崔毓仁 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 6 39 2.0 6.0
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复合材料
聚四氟乙烯
SiO2
热压成型温度
结晶度
微观结构
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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